Kõik topoloogiad nõuavad kiirelt lülituvaid toitelüliteid. Võimendusaste ja täissilla teisendusaste nõuavad kiireid lülitusdioode. Lisaks on nende topoloogiate jaoks kasulikud ka madala sagedusega (100 Hz) teisendamiseks optimeeritud lülitid. Iga konkreetse ränitehnoloogia puhul on kiireks ümberlülitamiseks optimeeritud lülititel suuremad juhtivuskadud kui madalsageduslike lülitusrakenduste jaoks optimeeritud lülititel.

Võimendusaste on üldiselt konstrueeritud pideva voolurežiimi muundurina. Vastavalt päikesemoodulite arvule inverteri kasutatavas massiivis valige, kas kasutada 600V või 1200V seadmeid. Toitelülitite kaks võimalust on MOSFET ja IGBT. Üldiselt võib MOSFET töötada kõrgemal lülitussagedusel kui IGBT. Lisaks tuleb alati arvestada keredioodi mõjuga: võimendusastme puhul pole probleemi, sest kehadiood ei juhi normaalses töörežiimis. MOSFET-i juhtivuskadu saab arvutada juhtivustakistuse RDS(ON) alusel. Teatud MOSFET-seeria puhul on see võrdeline stantsi efektiivse pindalaga. Kui nimipinge muudetakse 600 V-lt 1200 V-le, suureneb MOSFET-i juhtivuskadu oluliselt. Seega, isegi kui nimi RDS(ON) on samaväärne, pole 1200 V MOSFET saadaval või hind on liiga kõrge.

Palun võtke vaade ja meid paremini mõista:

20000 watt pure sine wave ac inverter