Teine võimalus, mida tasub arutada, on FGH30N60LSD seadmete kasutamine. See on 30A/600V IGBT, mille küllastuspinge VCE(SAT) on vaid 1,1V. Selle väljalülituskadu EOFF on väga kõrge, ulatudes 10 mJ-ni, seega sobib see ainult madala sagedusega muundamiseks. 50 millioomise MOSFETi sisselülitatud takistus RDS(ON) töötemperatuuril on 100 millioomi. Seetõttu on sellel 11A juures sama VDS kui IGBT VCE-l (SAT). Kuna see IGBT põhineb vanemal rikketehnoloogial, ei muutu VCE(SAT) temperatuuriga palju. Seetõttu võib see IGBT vähendada väljundsilla üldist kadu, suurendades seeläbi inverteri üldist efektiivsust. Väga kasulik on ka FGH30N60LSD IGBT lülitumine ühelt võimsuse muundamise tehnoloogialt teisele spetsiaalsele topoloogiale iga poole tsükli järel. Siin kasutatakse topoloogilise lülitina IGBT-d. Kiiremas konversioonis kasutatakse tavapäraseid ja kiire taastumisega superristmike seadmeid. 1200V spetsiaalne topoloogia ja täissillastruktuuri jaoks sobib eelmainitud FGL40N120AND väga hästi uue kõrgsagedusliku päikeseinverteri lülitiks. Kui eritehnoloogia nõuab dioode, on Stealth II, Hyperfast™ II dioodid ja süsinikdioodid head lahendused.

Palun võtke vaade ja meid paremini mõista:

20000 watt pure sine wave ac inverter